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三星电子,明年将批量生产3纳米工艺“GAA”……主导代工市场

全球经济新闻 记者 韩贤珠

기사입력 : 2021-10-07 17:37

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“通过大规模投资,扩大生产力量。不仅在GAA(Gate All Around)等尖端微工艺上,在现有的工艺上,也将继续进行差别化的技术创新。”

三星电子表示,将批量生产以GAA技术为基础的3纳米及2纳米工艺。6日,三星电子在网上举行了以“Adding One More Dimension”为主题的“三星代工论坛2021”。

在历届的代工论坛中,此次的“三星代工论坛2021”是参加企业最多的一次。500家公司,2000多家Fabless顾客和合作伙伴,进行了提前注册,并表现出了极大的关注。

通过此次的论坛,三星电子介绍了“批量生产以GAA技术为基础的3纳米及2纳米工艺的计划”,“开发17纳米新工艺”等。并表示,将进一步发展工艺技术产业、生产线运营、代工服务,从而在快速增长的代工在市场上,加强其竞争力。

据分析,在代工市场上,与全球排名第一的台湾TSMC,正在拉大差距。在这种情况下,抢先占领新一代尖端工艺技术——3纳米技术,从而缩小占有率。GAA是指,提高起到半导体电流调节开关作用的晶体管的性能,以及效率的新结构工艺技术。具有电力效率,性能,设计灵活性。因此,在持续微细化工艺中,是必要的工艺。

三星电子公布了,2022年上半年把GAA技术引入到3纳米工艺,2023年批量生产第二代3纳米,2025年批量生产以GAA为基础的2纳米工艺的计划,并表现出了抢占新一代晶体管技术的自信。

采用三星电子独家GAA技术——MBCFET(Multi Bridge Channel FET)结构的3纳米工艺与FinFET基础的5纳米工艺相比,将提高30%的性能,减少50%的电力消耗,减少35%的面积。另外,还表示,以3纳米工艺为例,确保了稳定的生产收益率,并正在为批量生产而做准备。

在主题演讲中,三星电子的代工事业部的崔时英(音)社长表示:“通过大规模投资,扩大生产力量。不仅在GAA等尖端微工艺上,在现有的工艺上,也将继续进行差别化的技术创新。因新冠病毒而导致向数字化急剧转换的情况下,为了通过芯片能够体现顾客的多种创意,将提供差别化的价值。”

另外,11月,三星电子将在网上举行,为了加强代工顾客和合作伙伴生态系统的Samsung Advanced Foundry Ecosystem。


全球经济新闻 记者 韩贤珠